onsemi AEC-Q101 IGBT, Tipo N-Canal, 80 A, 650 V, TO-263, 3 pines Superficie

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Código RS:
185-7972
Nº ref. fabric.:
AFGB40T65SQDN
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Tipo de producto

IGBT

Corriente continua máxima de colector Ic

80A

Tensión Colector-Emisor máxima VCEO

650V

Disipación de potencia máxima Pd

238W

Encapsulado

TO-263

Tipo de montaje

Superficie

Tipo de canal

Tipo N

Número de pines

3

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT

1.6V

Tensión máxima del emisor de puerta VGEO

±20 V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS, Pb-Free

Longitud

9.65mm

Altura

4.06mm

Anchura

10.67 mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

Energía nominal

22.3mJ

Estado RoHS: No cumple

COO (País de Origen):
CN
Using the novel field stop 4th generation IGBT technology. AFGB40T65SQDN offers the optimum performance with both low conduction loss and switching loss for a high efficiency operation in various applications.

VCE(sat) = 1.6 V (typ.) @ IC = 40 A

Low VF soft recovery co-packaged diode

For automotive

Low conduction loss

Low noise and conduction loss

Applications

Automotive On Board Charge

Automotive DC/DC converter for HEV

End Products

EV/PHEV

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