IGBT, IGB50N65S5ATMA1, N-Canal, 80 A, 650 V, PG-TO263, 3-Pines 1 Simple

Ver todo IGBT

Subtotal (1 bobina de 1000 unidades)*

1.565,00 €

(exc. IVA)

1.894,00 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Agotado temporalmente
  • 1000 Envío desde el 15 de enero de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es)
Por unidad
Por Bobina*
1000 +1,565 €1.565,00 €

*precio indicativo

Código RS:
226-6062
Nº ref. fabric.:
IGB50N65S5ATMA1
Fabricante:
Infineon
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Infineon

Corriente Máxima Continua del Colector

80 A

Tensión Máxima Colector-Emisor

650 V

Tensión Máxima Puerta-Emisor

30V

Número de transistores

1

Disipación de Potencia Máxima

270 W

Configuración

Único

Tipo de Encapsulado

PG-TO263

Tipo de Canal

N

Conteo de Pines

3

Configuración de transistor

Simple

El Infineon IGB50N65S es un IGBT de 50 A con diodo antiparalelo sin necesidad de componente de fijación de puerta. En estas características de caída de corriente suave sin corriente de cola y es excelente para conexión en paralelo.

VCEsat muy bajo de 1,35 V a 25 °C.
Temperatura de unión máxima TVJ 175°C.
cuatro veces la corriente nominal

Enlaces relacionados