IGBT, IGB50N65S5ATMA1, N-Canal, 80 A, 650 V, PG-TO263, 3-Pines 1 Simple

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
226-6063
Nº ref. fabric.:
IGB50N65S5ATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Corriente Máxima Continua del Colector

80 A

Tensión Máxima Colector-Emisor

650 V

Tensión Máxima Puerta-Emisor

30V

Disipación de Potencia Máxima

270 W

Número de transistores

1

Tipo de Encapsulado

PG-TO263

Configuración

Único

Tipo de Canal

N

Conteo de Pines

3

Configuración de transistor

Simple

El Infineon IGB50N65S es un IGBT de 50 A con diodo antiparalelo sin necesidad de componente de fijación de puerta. En estas características de caída de corriente suave sin corriente de cola y es excelente para conexión en paralelo.

VCEsat muy bajo de 1,35 V a 25 °C.
Temperatura de unión máxima TVJ 175°C.
cuatro veces la corriente nominal

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