IGBT, IGB50N65S5ATMA1, N-Canal, 80 A, 650 V, PG-TO263, 3-Pines 1 Simple
- Código RS:
- 226-6063
- Nº ref. fabric.:
- IGB50N65S5ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | 3,06 € | 15,30 € |
| 25 - 45 | 2,752 € | 13,76 € |
| 50 - 120 | 2,57 € | 12,85 € |
| 125 - 245 | 2,388 € | 11,94 € |
| 250 + | 2,234 € | 11,17 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 226-6063
- Nº ref. fabric.:
- IGB50N65S5ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Corriente Máxima Continua del Colector | 80 A | |
| Tensión Máxima Colector-Emisor | 650 V | |
| Tensión Máxima Puerta-Emisor | 30V | |
| Número de transistores | 1 | |
| Disipación de Potencia Máxima | 270 W | |
| Configuración | Único | |
| Tipo de Encapsulado | PG-TO263 | |
| Tipo de Canal | N | |
| Conteo de Pines | 3 | |
| Configuración de transistor | Simple | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Corriente Máxima Continua del Colector 80 A | ||
Tensión Máxima Colector-Emisor 650 V | ||
Tensión Máxima Puerta-Emisor 30V | ||
Número de transistores 1 | ||
Disipación de Potencia Máxima 270 W | ||
Configuración Único | ||
Tipo de Encapsulado PG-TO263 | ||
Tipo de Canal N | ||
Conteo de Pines 3 | ||
Configuración de transistor Simple | ||
El Infineon IGB50N65S es un IGBT de 50 A con diodo antiparalelo sin necesidad de componente de fijación de puerta. En estas características de caída de corriente suave sin corriente de cola y es excelente para conexión en paralelo.
VCEsat muy bajo de 1,35 V a 25 °C.
Temperatura de unión máxima TVJ 175°C.
cuatro veces la corriente nominal
Temperatura de unión máxima TVJ 175°C.
cuatro veces la corriente nominal