onsemi AEC-Q101 Fosa de parada de campo IGBT, AFGHL40T65SQ, Tipo N-Canal, 80 A, 650 V, TO-247, 3 pines Orificio pasante
- Código RS:
- 202-5669
- Nº ref. fabric.:
- AFGHL40T65SQ
- Fabricante:
- onsemi
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- Código RS:
- 202-5669
- Nº ref. fabric.:
- AFGHL40T65SQ
- Fabricante:
- onsemi
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Tipo de producto | Fosa de parada de campo IGBT | |
| Corriente continua máxima de colector Ic | 80A | |
| Tensión Colector-Emisor máxima VCEO | 650V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 1W | |
| Encapsulado | TO-247 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Número de pines | 3 | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT | 1.6V | |
| Tensión máxima del emisor de puerta VGEO | ±3 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Serie | Trench | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Tipo de producto Fosa de parada de campo IGBT | ||
Corriente continua máxima de colector Ic 80A | ||
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO 650V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 1W | ||
Encapsulado TO-247 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Número de pines 3 | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT 1.6V | ||
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO ±3 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Serie Trench | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
El Field Stop Trench IGBT DE ON Semiconductor ofrece un rendimiento óptimo tanto para topología de conmutación dura como suave en aplicaciones de automoción. Es un IGBT independiente.
Certificación AEC-Q101
Capacidad de corriente alta
Conmutación rápida
Distribución de parámetros ajustada
En conformidad con RoHS
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