onsemi AEC-Q101 Parada de campo IGBT, FGH40N60SFDTU, Tipo N-Canal, 80 A, 600 V, TO-247, 3 pines Orificio pasante, 25 ns

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Código RS:
759-9267
Nº ref. fabric.:
FGH40N60SFDTU
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Tipo de producto

Parada de campo IGBT

Corriente continua máxima de colector Ic

80A

Tensión Colector-Emisor máxima VCEO

600V

Disipación de potencia máxima Pd

290W

Encapsulado

TO-247

Tipo de montaje

Orificio pasante

Tipo de canal

Tipo N

Número de pines

3

Velocidad de conmutación

25ns

Tensión máxima del emisor de puerta VGEO

±20 V

Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT

2.3V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Serie

Field Stop

Estándar de automoción

AEC-Q101

IGBT discretos, Fairchild Semiconductor


IGBT discretos y módulos, Fairchild Semiconductor


El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.

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