IGBT, FGH40N60SFDTU, N-Canal, 80 A, 600 V, TO-247, 3-Pines Simple
- Código RS:
- 124-1334
- Nº ref. fabric.:
- FGH40N60SFDTU
- Fabricante:
- onsemi
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Unidad(es) | Por unidad | Por Tubo* |
|---|---|---|
| 30 - 30 | 2,682 € | 80,46 € |
| 60 - 120 | 2,602 € | 78,06 € |
| 150 - 270 | 2,522 € | 75,66 € |
| 300 + | 2,414 € | 72,42 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 124-1334
- Nº ref. fabric.:
- FGH40N60SFDTU
- Fabricante:
- onsemi
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Corriente Máxima Continua del Colector | 80 A | |
| Tensión Máxima Colector-Emisor | 600 V | |
| Tensión Máxima Puerta-Emisor | ±20V | |
| Disipación de Potencia Máxima | 290 W | |
| Tipo de Encapsulado | TO-247 | |
| Tipo de Montaje | Montaje en orificio pasante | |
| Tipo de Canal | N | |
| Conteo de Pines | 3 | |
| Configuración de transistor | Simple | |
| Dimensiones | 15.6 x 4.7 x 20.6mm | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C | |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +150 °C | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Corriente Máxima Continua del Colector 80 A | ||
Tensión Máxima Colector-Emisor 600 V | ||
Tensión Máxima Puerta-Emisor ±20V | ||
Disipación de Potencia Máxima 290 W | ||
Tipo de Encapsulado TO-247 | ||
Tipo de Montaje Montaje en orificio pasante | ||
Tipo de Canal N | ||
Conteo de Pines 3 | ||
Configuración de transistor Simple | ||
Dimensiones 15.6 x 4.7 x 20.6mm | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55 °C | ||
Temperatura Máxima de Funcionamiento +150 °C | ||
IGBT discretos, Fairchild Semiconductor
IGBT discretos y módulos, Fairchild Semiconductor
El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.