onsemi IGBT-Ultra Parada de Campo, Tipo N-Canal, 25 A, 1200 V, TO-247, 3 pines Orificio pasante, 1 MHZ
- Código RS:
- 145-3284
- Nº ref. fabric.:
- NGTB25N120FL3WG
- Fabricante:
- onsemi
Descuento aplicable por cantidad
Ver precios por cantidadSubtotal (1 tubo de 30 unidades)*
130,74 €
(exc. IVA)
158,19 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
Agotado temporalmente
- 60 Envío desde el 07 de octubre de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Tubo* |
|---|---|---|
| 30 - 90 | 4,358 € | 130,74 € |
| 120 - 240 | 3,486 € | 104,58 € |
| 270 - 480 | 3,294 € | 98,82 € |
| 510 - 990 | 3,161 € | 94,83 € |
| 1020 + | 3,082 € | 92,46 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 145-3284
- Nº ref. fabric.:
- NGTB25N120FL3WG
- Fabricante:
- onsemi
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Corriente continua máxima de colector Ic | 25A | |
| Tipo de producto | IGBT-Ultra Parada de Campo | |
| Tensión Colector-Emisor máxima VCEO | 1200V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 349W | |
| Encapsulado | TO-247 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Número de pines | 3 | |
| Velocidad de conmutación | 1MHZ | |
| Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT | 1.7V | |
| Tensión máxima del emisor de puerta VGEO | ±30 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Serie | Field Stop | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Longitud | 20.8mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Corriente continua máxima de colector Ic 25A | ||
Tipo de producto IGBT-Ultra Parada de Campo | ||
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO 1200V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 349W | ||
Encapsulado TO-247 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Número de pines 3 | ||
Velocidad de conmutación 1MHZ | ||
Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT 1.7V | ||
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO ±30 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Serie Field Stop | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Longitud 20.8mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- CN
Discretos IGBT, ON Semiconductor
Transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) para variador de motor y otras aplicaciones de conmutación de alta corriente.
Discretos IGBT, ON Semiconductor
El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.
Enlaces relacionados
- onsemi IGBT-Ultra Parada de Campo Tipo N-Canal 1200 V 3 pines Orificio pasante, 1 MHZ
- onsemi AEC-Q101 Fosa de parada de campo IGBT 80 A TO-247, 3 pines Orificio pasante
- onsemi IGBT-Parada de campo II 80 A TO-247 1 MHZ
- onsemi IGBT-Parada de campo II 70 A TO-247 1 MHZ
- onsemi IGBT-Parada de campo II Tipo N-Canal 650 V 3 pines Orificio pasante, 1 MHZ
- onsemi AEC-Q101 Fosa de parada de campo IGBT Tipo N-Canal 650 V 3 pines Orificio pasante
- onsemi IGBT-Parada de campo II Tipo N-Canal 650 V 3 pines Orificio pasante, 1 MHZ
- onsemi AEC-Q101 Fosa de parada de campo IGBT Tipo N-Canal 650 V 3 pines Orificio pasante