onsemi IGBT-Ultra Parada de Campo, NGTB25N120FL3WG, Tipo N-Canal, 25 A, 1200 V, TO-247, 3 pines Orificio pasante, 1 MHz

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Código RS:
123-8830
Nº ref. fabric.:
NGTB25N120FL3WG
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Corriente continua máxima de colector Ic

25A

Tipo de producto

IGBT-Ultra Parada de Campo

Tensión Colector-Emisor máxima VCEO

1200V

Disipación de potencia máxima Pd

349W

Encapsulado

TO-247

Tipo de montaje

Orificio pasante

Tipo de canal

Tipo N

Número de pines

3

Velocidad de conmutación

1MHz

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT

1.7V

Tensión máxima del emisor de puerta VGEO

±30 V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Serie

Field Stop

Certificaciones y estándares

RoHS

Longitud

20.8mm

Anchura

16.25 mm

Estándar de automoción

No

Discretos IGBT, ON Semiconductor


Transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) para variador de motor y otras aplicaciones de conmutación de alta corriente.

Discretos IGBT, ON Semiconductor


El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.

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