IGBT, AFGHL50T65SQD, N-Canal, 50 A, 650 V, TO-247, 3-Pines 30 Simple
- Código RS:
- 202-5675
- Nº ref. fabric.:
- AFGHL50T65SQD
- Fabricante:
- onsemi
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- 202-5675
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- AFGHL50T65SQD
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- onsemi
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Corriente Máxima Continua del Colector | 50 A | |
| Tensión Máxima Colector-Emisor | 650 V | |
| Tensión Máxima Puerta-Emisor | ±30.0V | |
| Número de transistores | 30 | |
| Disipación de Potencia Máxima | 268 W | |
| Tipo de Encapsulado | TO-247 | |
| Tipo de Canal | N | |
| Conteo de Pines | 3 | |
| Configuración de transistor | Simple | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Corriente Máxima Continua del Colector 50 A | ||
Tensión Máxima Colector-Emisor 650 V | ||
Tensión Máxima Puerta-Emisor ±30.0V | ||
Número de transistores 30 | ||
Disipación de Potencia Máxima 268 W | ||
Tipo de Encapsulado TO-247 | ||
Tipo de Canal N | ||
Conteo de Pines 3 | ||
Configuración de transistor Simple | ||
El Field Stop Trench IGBT DE ON Semiconductor ofrece un rendimiento óptimo tanto para topología de conmutación dura como suave en aplicaciones de automoción. Es un IGBT independiente.
Certificación AEC-Q101
Capacidad de corriente alta
Conmutación rápida
Distribución de parámetros ajustada
En conformidad con RoHS
Capacidad de corriente alta
Conmutación rápida
Distribución de parámetros ajustada
En conformidad con RoHS