IGBT, IKQ75N120CT2XKSA1, P-Canal, 150 A, 1.200 V, TO-247, 3-Pines, 20kHz 1 Simple

En respuesta al requisito del mercado para alojar cantidades cada vez mayores de silicio en encapsulados más pequeños y compactos, Infineon presenta el nuevo encapsulado TO-247PLUS para IGTB de 1.200 V. Mayor capacidad de corriente, mejor comportamiento térmico. TO-247PLUS tiene las mismas dimensiones externas que el TO-247 estándar industrial, pero debido a la ausencia del orificio de tornillo, permite hasta 75 A en 1.200 V empaquetado con diodo de 75 A de valor nominal completo.

Alta densidad de potencia: IGBT de hasta 75 A, 1.200 V empaquetado con diodo de 75 A en tamaño TO-247
R th(jh) un 20 % inferior en comparación con TO-247 de 3 pines
Separación de contactos colector-emisor ampliada de 4,25 mm
Separación de pinza ampliada para un encapsulado completo de la parte frontal del encapsulado
Mayor densidad de potencia del sistema: aumento de I c que mantiene el mismo rendimiento térmico del sistema
Menor resistencia térmica R th(jh) y mejora del ∼15 % de capacidad de disipación de calor de TO-247PLUS frente a TO-247
Mayor fiabilidad y vida útil prolongada del dispositivo