Infineon IGBT, Tipo P-Canal, 150 A, 1200 V, TO-247, 3 pines Orificio pasante, 20 kHz
- Código RS:
- 162-3285
- Nº ref. fabric.:
- IKQ75N120CT2XKSA1
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidad | Por Tubo* |
|---|---|---|
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| 60 - 60 | 7,022 € | 210,66 € |
| 90 + | 6,702 € | 201,06 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 162-3285
- Nº ref. fabric.:
- IKQ75N120CT2XKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | IGBT | |
| Corriente continua máxima de colector Ic | 150A | |
| Tensión Colector-Emisor máxima VCEO | 1200V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 938W | |
| Encapsulado | TO-247 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Número de pines | 3 | |
| Velocidad de conmutación | 20kHz | |
| Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT | 2.15V | |
| Tensión máxima del emisor de puerta VGEO | 20 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Serie | TrenchStop | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Energía nominal | 10.8mJ | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto IGBT | ||
Corriente continua máxima de colector Ic 150A | ||
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO 1200V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 938W | ||
Encapsulado TO-247 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Número de pines 3 | ||
Velocidad de conmutación 20kHz | ||
Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT 2.15V | ||
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO 20 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Serie TrenchStop | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
Energía nominal 10.8mJ | ||
En respuesta al requisito del mercado para alojar cantidades cada vez mayores de silicio en encapsulados más pequeños y compactos, Infineon presenta el nuevo encapsulado TO-247PLUS para IGTB de 1.200 V. Mayor capacidad de corriente, mejor comportamiento térmico. TO-247PLUS tiene las mismas dimensiones externas que el TO-247 estándar industrial, pero debido a la ausencia del orificio de tornillo, permite hasta 75 A en 1.200 V empaquetado con diodo de 75 A de valor nominal completo.
Alta densidad de potencia: IGBT de hasta 75 A, 1.200 V empaquetado con diodo de 75 A en tamaño TO-247
R th(jh) un 20 % inferior en comparación con TO-247 de 3 pines
Separación de contactos colector-emisor ampliada de 4,25 mm
Separación de pinza ampliada para un encapsulado completo de la parte frontal del encapsulado
Mayor densidad de potencia del sistema: aumento de I c que mantiene el mismo rendimiento térmico del sistema
Menor resistencia térmica R th(jh) y mejora del ∼15 % de capacidad de disipación de calor de TO-247PLUS frente a TO-247
Mayor fiabilidad y vida útil prolongada del dispositivo