IGBT, IKQ75N120CT2XKSA1, P-Canal, 75 A, 1.200 V, TO-247, 3-Pines, 20kHz 1 Simple

Código RS:: 162-3324
Nº ref. fabric.:: IKQ75N120CT2XKSA1
Fabricante:: Infineon

IGBT, IKQ75N120CT2XKSA1, P-Canal, 75 A, 1.200 V, TO-247, 3-Pines, 20kHz 1 Simple

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Código RS:: 162-3324
Nº ref. fabric.:: IKQ75N120CT2XKSA1
Fabricante:: Infineon

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

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Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	Infineon
	Corriente Máxima Continua del Colector	75 A
	Tensión Máxima Colector-Emisor	1.200 V
	Tensión Máxima Puerta-Emisor	±20V
	Disipación de Potencia Máxima	938 W
	Número de transistores	1
	Tipo de Encapsulado	TO-247
	Tipo de Montaje	Montaje en orificio pasante
	Tipo de Canal	P
	Conteo de Pines	3
	Velocidad de Conmutación	20kHz
	Configuración de transistor	Simple
	Dimensiones	15.9 x 5.1 x 21.1mm
	Energía nominal	10.8mJ
	Capacitancia de puerta	4856pF
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-40 °C
	Temperatura Máxima de Funcionamiento	+175 °C

	Seleccionar todo
	Marca Infineon
	Corriente Máxima Continua del Colector 75 A
	Tensión Máxima Colector-Emisor 1.200 V
	Tensión Máxima Puerta-Emisor ±20V
	Disipación de Potencia Máxima 938 W
	Número de transistores 1
	Tipo de Encapsulado TO-247
	Tipo de Montaje Montaje en orificio pasante
	Tipo de Canal P
	Conteo de Pines 3
	Velocidad de Conmutación 20kHz
	Configuración de transistor Simple
	Dimensiones 15.9 x 5.1 x 21.1mm
	Energía nominal 10.8mJ
	Capacitancia de puerta 4856pF
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -40 °C
	Temperatura Máxima de Funcionamiento +175 °C

En respuesta al requisito del mercado para alojar cantidades cada vez mayores de silicio en encapsulados más pequeños y compactos, Infineon presenta el nuevo encapsulado TO-247PLUS para IGTB de 1.200 V. Mayor capacidad de corriente, mejor comportamiento térmico. TO-247PLUS tiene las mismas dimensiones externas que el TO-247 estándar industrial, pero debido a la ausencia del orificio de tornillo, permite hasta 75 A en 1.200 V empaquetado con diodo de 75 A de valor nominal completo.

Alta densidad de potencia: IGBT de hasta 75 A, 1.200 V empaquetado con diodo de 75 A en tamaño TO-247
R th(jh) un 20 % inferior en comparación con TO-247 de 3 pines
Separación de contactos colector-emisor ampliada de 4,25 mm
Separación de pinza ampliada para un encapsulado completo de la parte frontal del encapsulado
Mayor densidad de potencia del sistema: aumento de I c que mantiene el mismo rendimiento térmico del sistema
Menor resistencia térmica R th(jh) y mejora del ∼15 % de capacidad de disipación de calor de TO-247PLUS frente a TO-247
Mayor fiabilidad y vida útil prolongada del dispositivo

IGBT, IKQ75N120CT2XKSA1, P-Canal, 75 A, 1.200 V, TO-247, 3-Pines, 20kHz 1 Simple

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