Infineon Módulo IGBT, Tipo N-Canal, 100 A, 1200 V, AG-34MM-1 Abrazadera

Ver todo IGBT
No disponible
RS ya no dispondrá de este producto.
Código RS:
166-0839
Nº ref. fabric.:
FF100R12RT4HOSA1
Fabricante:
Infineon
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Infineon

Tipo de producto

Módulo IGBT

Corriente continua máxima de colector Ic

100A

Tensión Colector-Emisor máxima VCEO

1200V

Disipación de potencia máxima Pd

555W

Encapsulado

AG-34MM-1

Tipo de montaje

Abrazadera

Tipo de canal

Tipo N

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT

2.15V

Tensión máxima del emisor de puerta VGEO

20 V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Anchura

34 mm

Longitud

94mm

Altura

30.2mm

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
MY

Módulo IGBT, Infineon


La gama de Infineon gama de módulos IGBT ofrece una baja pérdida de conmutación para conmutar frecuencias de hasta 60 Khz.

Los IGBT abarcan varios módulos de potencia, como los encapsulados ECONOPACK con tensión del emisor de colector a 1200 V módulos de medio puente PrimePACK IGBT con NTC de hasta 1600/1700 V. Los IGBT PrimePACK se pueden usar en aplicaciones industriales, comerciales, de la construcción y de vehículos agrícolas. Los módulos IGBT del canal N TRENCH-STOP TM y Fieldstop son adecuados para aplicaciones de conmutación, como inversores, SAI y controladores industriales.

Los tipos de encapsulado son: módulos de 62 mm, EasyPACK, EconoPACKTM2/EconoPACKTM3/EconoPACKTM4

IGBT discretos y módulos, Infineon


El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.

Enlaces relacionados