Infineon IGBT, FF50R12RT4HOSA1 Doble, 50 A, 1200 V, AG-34MM 2 Chasis
- Código RS:
- 260-8888
- Nº ref. fabric.:
- FF50R12RT4HOSA1
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidad |
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- Código RS:
- 260-8888
- Nº ref. fabric.:
- FF50R12RT4HOSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | IGBT | |
| Corriente continua máxima de colector Ic | 50A | |
| Tensión Colector-Emisor máxima VCEO | 1200V | |
| Número de transistores | 2 | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 285W | |
| Encapsulado | AG-34MM | |
| Configuración | Doble | |
| Tipo de montaje | Chasis | |
| Tensión máxima del emisor de puerta VGEO | 20 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT | 2.25V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto IGBT | ||
Corriente continua máxima de colector Ic 50A | ||
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO 1200V | ||
Número de transistores 2 | ||
Disipación de potencia máxima Pd 285W | ||
Encapsulado AG-34MM | ||
Configuración Doble | ||
Tipo de montaje Chasis | ||
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO 20 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT 2.25V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
El módulo IGBT doble de Infineon es de 34 mm, 1.200 V, 50 A TRENCHSTOP IGBT4 rápido y 4 diodos controlados por emisor. VCEsat con coeficiente de temperatura positivo, es flexible, rendimiento eléctrico óptimo y máxima fiabilidad.
Temperatura de funcionamiento ampliada
Pérdidas de conmutación bajas
VCEsat bajo
Placa base aislada
Carcasa estándar