Infineon IGBT Doble, 50 A, 1200 V, AG-34MM 2 Chasis

Ver todo IGBT
Descuento aplicable por cantidad

Subtotal (1 bandeja de 10 unidades)*

704,40 €

(exc. IVA)

852,30 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Agotado temporalmente
  • Envío desde el 02 de febrero de 2028
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es)
Por unidad
Por Bandeja*
10 - 4070,44 €704,40 €
50 +69,04 €690,40 €

*precio indicativo

Código RS:
260-8887
Nº ref. fabric.:
FF50R12RT4HOSA1
Fabricante:
Infineon
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Infineon

Corriente continua máxima de colector Ic

50A

Tipo de producto

IGBT

Tensión Colector-Emisor máxima VCEO

1200V

Disipación de potencia máxima Pd

285W

Número de transistores

2

Configuración

Doble

Encapsulado

AG-34MM

Tipo de montaje

Chasis

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT

2.25V

Tensión máxima del emisor de puerta VGEO

20 V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

El módulo IGBT doble de Infineon es de 34 mm, 1.200 V, 50 A TRENCHSTOP IGBT4 rápido y 4 diodos controlados por emisor. VCEsat con coeficiente de temperatura positivo, es flexible, rendimiento eléctrico óptimo y máxima fiabilidad.

Temperatura de funcionamiento ampliada

Pérdidas de conmutación bajas

VCEsat bajo

Placa base aislada

Carcasa estándar

Enlaces relacionados