IGBT, FF50R12RT4HOSA1, 50 A, 1200 V, AG-34MM 2
- Código RS:
- 260-8887
- Nº ref. fabric.:
- FF50R12RT4HOSA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 260-8887
- Nº ref. fabric.:
- FF50R12RT4HOSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Corriente Máxima Continua del Colector | 50 A | |
| Tensión Máxima Colector-Emisor | 1200 V | |
| Tensión Máxima Puerta-Emisor | ±20V | |
| Número de transistores | 2 | |
| Disipación de Potencia Máxima | 285 W | |
| Tipo de Encapsulado | AG-34MM | |
| Configuración | Doble | |
| Tipo de Montaje | Montaje en panel | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Corriente Máxima Continua del Colector 50 A | ||
Tensión Máxima Colector-Emisor 1200 V | ||
Tensión Máxima Puerta-Emisor ±20V | ||
Número de transistores 2 | ||
Disipación de Potencia Máxima 285 W | ||
Tipo de Encapsulado AG-34MM | ||
Configuración Doble | ||
Tipo de Montaje Montaje en panel | ||
El módulo IGBT doble de Infineon es de 34 mm, 1.200 V, 50 A TRENCHSTOP IGBT4 rápido y 4 diodos controlados por emisor. VCEsat con coeficiente de temperatura positivo, es flexible, rendimiento eléctrico óptimo y máxima fiabilidad.
Temperatura de funcionamiento ampliada
Pérdidas de conmutación bajas
VCEsat bajo
Placa base aislada
Carcasa estándar
Pérdidas de conmutación bajas
VCEsat bajo
Placa base aislada
Carcasa estándar