onsemi IGBT, Tipo N-Canal, 120 A, 650 V, TO-3PN, 3 pines Orificio pasante, 140 ns

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Código RS:
166-2181
Nº ref. fabric.:
FGA60N65SMD
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Corriente continua máxima de colector Ic

120A

Tipo de producto

IGBT

Tensión Colector-Emisor máxima VCEO

650V

Disipación de potencia máxima Pd

600W

Encapsulado

TO-3PN

Tipo de montaje

Orificio pasante

Tipo de canal

Tipo N

Número de pines

3

Velocidad de conmutación

140ns

Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT

2.5V

Tensión máxima del emisor de puerta VGEO

±20 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS Compliant

Serie

Field Stop

Estándar de automoción

No

IGBT discretos, Fairchild Semiconductor


IGBT discretos y módulos, Fairchild Semiconductor


El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.

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