IGBT, FGA60N65SMD, N-Canal, 120 A, 650 V, TO-3PN, 3-Pines Simple
- Código RS:
- 166-2181
- Nº ref. fabric.:
- FGA60N65SMD
- Fabricante:
- onsemi
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Unidad(es) | Por unidad | Por Tubo* |
|---|---|---|
| 30 - 90 | 3,535 € | 106,05 € |
| 120 - 240 | 3,107 € | 93,21 € |
| 270 - 480 | 3,033 € | 90,99 € |
| 510 + | 2,693 € | 80,79 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 166-2181
- Nº ref. fabric.:
- FGA60N65SMD
- Fabricante:
- onsemi
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Corriente Máxima Continua del Colector | 120 A | |
| Tensión Máxima Colector-Emisor | 650 V | |
| Tensión Máxima Puerta-Emisor | ±20V | |
| Disipación de Potencia Máxima | 600 W | |
| Tipo de Encapsulado | TO-3PN | |
| Tipo de Montaje | Montaje en orificio pasante | |
| Tipo de Canal | N | |
| Conteo de Pines | 3 | |
| Configuración de transistor | Simple | |
| Dimensiones | 15.8 x 5 x 20.1mm | |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +175 °C | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Corriente Máxima Continua del Colector 120 A | ||
Tensión Máxima Colector-Emisor 650 V | ||
Tensión Máxima Puerta-Emisor ±20V | ||
Disipación de Potencia Máxima 600 W | ||
Tipo de Encapsulado TO-3PN | ||
Tipo de Montaje Montaje en orificio pasante | ||
Tipo de Canal N | ||
Conteo de Pines 3 | ||
Configuración de transistor Simple | ||
Dimensiones 15.8 x 5 x 20.1mm | ||
Temperatura Máxima de Funcionamiento +175 °C | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55 °C | ||
IGBT discretos, Fairchild Semiconductor
IGBT discretos y módulos, Fairchild Semiconductor
El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.