IGBT, AFGY120T65SPD, N-Canal, 120 A, 650 V, TO-247, 3-Pines 1 Simple
- Código RS:
- 214-8789
- Nº ref. fabric.:
- AFGY120T65SPD
- Fabricante:
- onsemi
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Unidad(es) | Por unidad |
|---|---|
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*precio indicativo
- Código RS:
- 214-8789
- Nº ref. fabric.:
- AFGY120T65SPD
- Fabricante:
- onsemi
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Corriente Máxima Continua del Colector | 120 A | |
| Tensión Máxima Colector-Emisor | 650 V | |
| Tensión Máxima Puerta-Emisor | ±20V | |
| Disipación de Potencia Máxima | 714 W | |
| Número de transistores | 1 | |
| Tipo de Encapsulado | TO-247 | |
| Tipo de Canal | N | |
| Conteo de Pines | 3 | |
| Configuración de transistor | Simple | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Corriente Máxima Continua del Colector 120 A | ||
Tensión Máxima Colector-Emisor 650 V | ||
Tensión Máxima Puerta-Emisor ±20V | ||
Disipación de Potencia Máxima 714 W | ||
Número de transistores 1 | ||
Tipo de Encapsulado TO-247 | ||
Tipo de Canal N | ||
Conteo de Pines 3 | ||
Configuración de transistor Simple | ||
on Semiconductor serie AFGY es un IGBT con diodo de recuperación rápida suave que ofrece una conducción muy baja y pérdidas de conmutación para un funcionamiento de alta eficiencia en diversas aplicaciones, fiabilidad de transitorios resistente y EMI baja.
Distribución de parámetros ajustada
Alta impedancia de entrada
Resistencia a cortocircuitos
Co−encapsulado con diodo de recuperación rápida suave
Alta impedancia de entrada
Resistencia a cortocircuitos
Co−encapsulado con diodo de recuperación rápida suave