IGBT, IXXH80N65B4H1, N-Canal, 430 A, 650 V, TO-247AD, 3-Pines, 5 → 30kHz 1 Simple

Código RS:: 168-4585
Nº ref. fabric.:: IXXH80N65B4H1
Fabricante:: IXYS

IGBT, IXXH80N65B4H1, N-Canal, 430 A, 650 V, TO-247AD, 3-Pines, 5 → 30kHz 1 Simple

Temporalmente fuera de stock. Disponible a partir del 02/06/2025, con entrega en 4 día(s) laborable(s).

Precio unitario (En un Tubo de 30)

9,524 €

(exc. IVA)

11,524 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Tubo*
30 +	9,524 €	285,72 €

*precio indicativo

Código RS:: 168-4585
Nº ref. fabric.:: IXXH80N65B4H1
Fabricante:: IXYS

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

COO (País de Origen):: PH

Datos del Producto

Discretos IGBT, IXYS

IGBT discretos y módulos, IXYS

El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.

Especificaciones

Atributo	Valor
Corriente Máxima Continua del Colector	430 A
Tensión Máxima Colector-Emisor	650 V
Tensión Máxima Puerta-Emisor	±20V
Disipación de Potencia Máxima	625 W
Número de transistores	1
Tipo de Encapsulado	TO-247AD
Tipo de Montaje	Montaje en orificio pasante
Tipo de Canal	N
Conteo de Pines	3
Velocidad de Conmutación	5 → 30kHz
Configuración de transistor	Simple
Dimensiones	16.1 x 5.2 x 21.3mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+175 °C
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C
Energía nominal	5.2mJ