IGBT, IXXH80N65B4H1, N-Canal, 430 A, 650 V, TO-247AD, 3-Pines, 5 → 30kHz 1 Simple

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Código RS:
168-4585
Nº ref. fabric.:
IXXH80N65B4H1
Fabricante:
IXYS
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Marca

IXYS

Corriente Máxima Continua del Colector

430 A

Tensión Máxima Colector-Emisor

650 V

Tensión Máxima Puerta-Emisor

±20V

Disipación de Potencia Máxima

625 W

Número de transistores

1

Tipo de Encapsulado

TO-247AD

Tipo de Montaje

Montaje en orificio pasante

Tipo de Canal

N

Conteo de Pines

3

Velocidad de Conmutación

5 → 30kHz

Configuración de transistor

Simple

Dimensiones

16.1 x 5.2 x 21.3mm

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+175 °C

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Energía nominal

5.2mJ

COO (País de Origen):
PH

Discretos IGBT, IXYS



IGBT discretos y módulos, IXYS


El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.

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