IGBT, FGB3040CS, N-Canal, 21 A, 430 V, D2PAK (TO-263), 6-Pines Simple

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Código RS:
864-8802
Nº ref. fabric.:
FGB3040CS
Fabricante:
Fairchild Semiconductor
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Marca

Fairchild Semiconductor

Corriente Máxima Continua del Colector

21 A

Tensión Máxima Colector-Emisor

430 V

Tensión Máxima Puerta-Emisor

±10V

Disipación de Potencia Máxima

150 W

Tipo de Encapsulado

D2PAK (TO-263)

Tipo de Montaje

Montaje superficial

Tipo de Canal

N

Conteo de Pines

6

Configuración de transistor

Simple

Dimensiones

10.1 x 9.4 x 4.7mm

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+175 °C

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40 °C

IGBT de encendido para automoción, Fairchild Semiconductor


Estos dispositivos IGBT EcoSPARK están optimizados para accionar bobinas de encendido de automoción. Se han sometido a pruebas de fatiga mecánica y cumplen la norma AEC-Q101.

Características


• Controlador de puerta nivel lógico
• Protección contra ESD
• Aplicaciones: circuitos impulsores de bobina de encendido para automoción, aplicaciones de bobina sobre bujía.

Códigos de producto RS



864-8802 FGB3040CS 400V 20A D2PAK


864-8805 FGB3040G2_F085 400V 25A DPAK-2


807-0767 FGD3040G2_F085 400V 25A DPAK


864-8880 FGI3040G2_F085 400V 25A I2PAK


864-8899 FGP3040G2_F085 400V 25A TO220


864-8809 FGB3245G2_F085 450V 23A D2PAK-2


864-8827 FGD3245G2_F085 450V 23A DPAK


807-0776 FGD3440G2_F085 400V 25A DPAK


864-8818 FGB3440G2_F085 400V 25A D2PAK-2


864-8893 FGP3440G2_F085 400V 25A TO220


807-8751 ISL9V5036P3_F085 360V 31A TO220


862-9369 ISL9V5045S3ST_F085 450V 43A D2PAK

Nota

Corrientes nominales aplicables cuando la temperatura de la conexión = +110 °C.

Estándares

AEC-Q101


IGBT discretos y módulos, Fairchild Semiconductor


El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.

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