IGBT, ISL9V2540S3ST, N-Canal, 15,5 A, 450 V, D2PAK (TO-263), 3-Pines Simple
- Código RS:
- 166-2050
- Nº ref. fabric.:
- ISL9V2540S3ST
- Fabricante:
- onsemi
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Añadido
Precio unitario (Suministrado en Carretes de 800)
1,291 €
(exc. IVA)
1,562 €
(inc.IVA)
| Unidades | Por unidad | Por Carrete* |
| 800 + | 1,291 € | 1.032,80 € |
| *precio indicativo | ||
- Código RS:
- 166-2050
- Nº ref. fabric.:
- ISL9V2540S3ST
- Fabricante:
- onsemi
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
IGBT discretos, Fairchild Semiconductor
IGBT discretos y módulos, Fairchild Semiconductor
El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.
Especificaciones
Atributo | Valor |
|---|---|
| Corriente Máxima Continua del Colector | 15,5 A |
| Tensión Máxima Colector-Emisor | 450 V |
| Tensión Máxima Puerta-Emisor | ±14V |
| Disipación de Potencia Máxima | 166,7 W |
| Tipo de Encapsulado | D2PAK (TO-263) |
| Tipo de Montaje | Montaje superficial |
| Tipo de Canal | N |
| Conteo de Pines | 3 |
| Configuración de transistor | Simple |
| Dimensiones | 10.67 x 9.65 x 4.83mm |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +175 °C |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40 °C |
- Código RS:
- 166-2050
- Nº ref. fabric.:
- ISL9V2540S3ST
- Fabricante:
- onsemi