IGBT, NGB8207BNT4G, N-Canal, 20 A, 365 V, D2PAK (TO-263), 3-Pines Simple

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Código RS:
171-0129
Nº ref. fabric.:
NGB8207BNT4G
Fabricante:
Littelfuse
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Marca

Littelfuse

Corriente Máxima Continua del Colector

20 A

Tensión Máxima Colector-Emisor

365 V

Tensión Máxima Puerta-Emisor

±15V

Disipación de Potencia Máxima

165 W

Tipo de Encapsulado

D2PAK (TO-263)

Tipo de Montaje

Montaje superficial

Tipo de Canal

N

Conteo de Pines

3

Configuración de transistor

Simple

Dimensiones

10.29 x 9.65 x 4.83mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+175 °C

Discretos IGBT, ON Semiconductor


Transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) para variador de motor y otras aplicaciones de conmutación de alta corriente.


Discretos IGBT, ON Semiconductor


El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.

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