IXYS IGBT, Tipo N-Canal, 570 A, 650 V, TO-264, 3 pines Orificio pasante, 30 kHz

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Código RS:
168-4588
Nº ref. fabric.:
IXXK110N65B4H1
Fabricante:
IXYS
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Marca

IXYS

Tipo de producto

IGBT

Corriente continua máxima de colector Ic

570A

Tensión Colector-Emisor máxima VCEO

650V

Disipación de potencia máxima Pd

880W

Encapsulado

TO-264

Tipo de montaje

Orificio pasante

Tipo de canal

Tipo N

Número de pines

3

Velocidad de conmutación

30kHz

Tensión máxima del emisor de puerta VGEO

20 V

Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT

2.1V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

No

Serie

Trench

Energía nominal

3mJ

Estándar de automoción

No

Discretos IGBT, IXYS


IGBT discretos y módulos, IXYS


El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.

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