IGBT, IXXK110N65B4H1, N-Canal, 570 A, 650 V, TO-264, 3-Pines, 10 → 30kHz 1 Simple
- Código RS:
- 168-4588
- Nº ref. fabric.:
- IXXK110N65B4H1
- Fabricante:
- IXYS
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Unidad(es) | Por unidad | Por Tubo* |
|---|---|---|
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- Código RS:
- 168-4588
- Nº ref. fabric.:
- IXXK110N65B4H1
- Fabricante:
- IXYS
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | IXYS | |
| Corriente Máxima Continua del Colector | 570 A | |
| Tensión Máxima Colector-Emisor | 650 V | |
| Tensión Máxima Puerta-Emisor | ±20V | |
| Disipación de Potencia Máxima | 880 W | |
| Número de transistores | 1 | |
| Tipo de Encapsulado | TO-264 | |
| Tipo de Montaje | Montaje en orificio pasante | |
| Tipo de Canal | N | |
| Conteo de Pines | 3 | |
| Velocidad de Conmutación | 10 → 30kHz | |
| Configuración de transistor | Simple | |
| Dimensiones | 20.3 x 5.3 x 26.6mm | |
| Energía nominal | 3mJ | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C | |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +175 °C | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca IXYS | ||
Corriente Máxima Continua del Colector 570 A | ||
Tensión Máxima Colector-Emisor 650 V | ||
Tensión Máxima Puerta-Emisor ±20V | ||
Disipación de Potencia Máxima 880 W | ||
Número de transistores 1 | ||
Tipo de Encapsulado TO-264 | ||
Tipo de Montaje Montaje en orificio pasante | ||
Tipo de Canal N | ||
Conteo de Pines 3 | ||
Velocidad de Conmutación 10 → 30kHz | ||
Configuración de transistor Simple | ||
Dimensiones 20.3 x 5.3 x 26.6mm | ||
Energía nominal 3mJ | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55 °C | ||
Temperatura Máxima de Funcionamiento +175 °C | ||
Discretos IGBT, IXYS
IGBT discretos y módulos, IXYS
El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.
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