IGBT, STGE200NB60S, N-Canal, 200 A, 600 V, ISOTOP, 4-Pines Simple

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Código RS:
168-6463
Nº ref. fabric.:
STGE200NB60S
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Corriente Máxima Continua del Colector

200 A

Tensión Máxima Colector-Emisor

600 V

Tensión Máxima Puerta-Emisor

±20V

Tipo de Encapsulado

ISOTOP

Tipo de Montaje

Montaje en panel

Tipo de Canal

N

Conteo de Pines

4

Configuración de transistor

Simple

Dimensiones

38.2 x 25.5 x 9.1mm

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 °C

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Discretos IGBT, STMicroelectronics



IGBT discretos y módulos, STMicroelectronics


El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.

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