STMicroelectronics IGBT, STGE200NB60S, Tipo N-Canal, 200 A, 600 V, ISOTOP, 4 pines Abrazadera

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Código RS:
686-8348
Nº ref. fabric.:
STGE200NB60S
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de producto

IGBT

Corriente continua máxima de colector Ic

200A

Tensión Colector-Emisor máxima VCEO

600V

Disipación de potencia máxima Pd

600W

Encapsulado

ISOTOP

Tipo de montaje

Abrazadera

Tipo de canal

Tipo N

Número de pines

4

Tensión máxima del emisor de puerta VGEO

±20 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT

1.6V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Anchura

31.7 mm

Longitud

38.2mm

Altura

12.2mm

Certificaciones y estándares

ECOPACK, JESD97

Serie

Powermesh

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN

Discretos IGBT, STMicroelectronics


IGBT discretos y módulos, STMicroelectronics


El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.

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