STMicroelectronics IGBT, STGE200NB60S, Tipo N-Canal, 200 A, 600 V, ISOTOP, 4 pines Abrazadera
- Código RS:
- 686-8348
- Nº ref. fabric.:
- STGE200NB60S
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Tipo de producto | IGBT | |
| Corriente continua máxima de colector Ic | 200A | |
| Tensión Colector-Emisor máxima VCEO | 600V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 600W | |
| Encapsulado | ISOTOP | |
| Tipo de montaje | Abrazadera | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Número de pines | 4 | |
| Tensión máxima del emisor de puerta VGEO | ±20 V | |
| Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT | 1.6V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 12.2mm | |
| Certificaciones y estándares | ECOPACK, JESD97 | |
| Longitud | 38.2mm | |
| Serie | Powermesh | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Tipo de producto IGBT | ||
Corriente continua máxima de colector Ic 200A | ||
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO 600V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 600W | ||
Encapsulado ISOTOP | ||
Tipo de montaje Abrazadera | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Número de pines 4 | ||
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO ±20 V | ||
Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT 1.6V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 12.2mm | ||
Certificaciones y estándares ECOPACK, JESD97 | ||
Longitud 38.2mm | ||
Serie Powermesh | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- CN
Discretos IGBT, STMicroelectronics
IGBT discretos y módulos, STMicroelectronics
El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.
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