STMicroelectronics IGBT, Tipo N-Canal, 54 A, 600 V, TO-247, 3 pines Orificio pasante, 70 ns

Ver todo IGBT
Descuento aplicable por cantidad

Subtotal (1 tubo de 30 unidades)*

58,68 €

(exc. IVA)

71,01 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Disponible
  • Disponible(s) 360 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"

Unidad(es)
Por unidad
Por Tubo*
30 - 601,956 €58,68 €
90 - 4801,825 €54,75 €
510 - 9601,778 €53,34 €
990 +1,735 €52,05 €

*precio indicativo

Código RS:
168-6464
Nº ref. fabric.:
STGW20NC60VD
Fabricante:
STMicroelectronics
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

STMicroelectronics

Corriente continua máxima de colector Ic

54A

Tipo de producto

IGBT

Tensión Colector-Emisor máxima VCEO

600V

Disipación de potencia máxima Pd

167W

Encapsulado

TO-247

Tipo de montaje

Orificio pasante

Tipo de canal

Tipo N

Número de pines

3

Velocidad de conmutación

70ns

Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT

2.7V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima del emisor de puerta VGEO

±20 V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

20.15mm

Serie

SMPS

Certificaciones y estándares

JEDEC

Longitud

15.75mm

Estándar de automoción

No

Discretos IGBT, STMicroelectronics


IGBT discretos y módulos, STMicroelectronics


El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.

Enlaces relacionados