IGBT, STGW30NC60KD, N-Canal, 60 A, 600 V, TO-247, 3-Pines Simple
- Código RS:
- 877-2905
- Nº ref. fabric.:
- STGW30NC60KD
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 5 - 5 | 6,478 € | 32,39 € |
| 10 - 95 | 5,506 € | 27,53 € |
| 100 - 495 | 4,404 € | 22,02 € |
| 500 - 995 | 3,92 € | 19,60 € |
| 1000 + | 3,31 € | 16,55 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 877-2905
- Nº ref. fabric.:
- STGW30NC60KD
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Corriente Máxima Continua del Colector | 60 A | |
| Tensión Máxima Colector-Emisor | 600 V | |
| Tensión Máxima Puerta-Emisor | ±20V | |
| Disipación de Potencia Máxima | 200 W | |
| Tipo de Encapsulado | TO-247 | |
| Tipo de Montaje | Montaje en orificio pasante | |
| Tipo de Canal | N | |
| Conteo de Pines | 3 | |
| Configuración de transistor | Simple | |
| Dimensiones | 15.75 x 5.15 x 24.45mm | |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +150 °C | |
| Energía nominal | 1435mJ | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C | |
| Capacitancia de puerta | 2170pF | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Corriente Máxima Continua del Colector 60 A | ||
Tensión Máxima Colector-Emisor 600 V | ||
Tensión Máxima Puerta-Emisor ±20V | ||
Disipación de Potencia Máxima 200 W | ||
Tipo de Encapsulado TO-247 | ||
Tipo de Montaje Montaje en orificio pasante | ||
Tipo de Canal N | ||
Conteo de Pines 3 | ||
Configuración de transistor Simple | ||
Dimensiones 15.75 x 5.15 x 24.45mm | ||
Temperatura Máxima de Funcionamiento +150 °C | ||
Energía nominal 1435mJ | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55 °C | ||
Capacitancia de puerta 2170pF | ||
- COO (País de Origen):
- CN
Discretos IGBT, STMicroelectronics
IGBT discretos y módulos, STMicroelectronics
El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.