STMicroelectronics IGBT, STGW30V60DF, Tipo N-Canal, 60 A, 600 V, TO-247, 3 pines Orificio pasante, 1 MHz

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Código RS:
791-7630
Nº ref. fabric.:
STGW30V60DF
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de producto

IGBT

Corriente continua máxima de colector Ic

60A

Tensión Colector-Emisor máxima VCEO

600V

Disipación de potencia máxima Pd

258W

Encapsulado

TO-247

Tipo de montaje

Orificio pasante

Tipo de canal

Tipo N

Número de pines

3

Velocidad de conmutación

1MHZ

Tensión máxima del emisor de puerta VGEO

±20 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT

2.3V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Serie

V

Altura

20.15mm

Longitud

15.75mm

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

No

Discretos IGBT, STMicroelectronics


IGBT discretos y módulos, STMicroelectronics


El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.

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