Mantenimiento de la web – Del viernes 21 al domingo 23 de junio

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IGBT, STGW40H65DFB, N-Canal, 80 A, 650 V, TO-247, 3-Pines Simple

Código RS:: 168-7094
Nº ref. fabric.:: STGW40H65DFB
Fabricante:: STMicroelectronics

IGBT, STGW40H65DFB, N-Canal, 80 A, 650 V, TO-247, 3-Pines Simple

Temporalmente fuera de stock. Disponible a partir del 25/06/2025, con entrega en 4 día(s) laborable(s).

Precio unitario (En un Tubo de 30)

2,754 €

(exc. IVA)

3,332 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Tubo*
30 - 60	2,754 €	82,62 €
90 - 480	2,683 €	80,49 €
510 +	2,616 €	78,48 €

*precio indicativo

Código RS:: 168-7094
Nº ref. fabric.:: STGW40H65DFB
Fabricante:: STMicroelectronics

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

COO (País de Origen):: CN

Datos del Producto

Discretos IGBT, STMicroelectronics

IGBT discretos y módulos, STMicroelectronics

El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.

Especificaciones

Atributo	Valor
Corriente Máxima Continua del Colector	80 A
Tensión Máxima Colector-Emisor	650 V
Tensión Máxima Puerta-Emisor	±20V
Disipación de Potencia Máxima	283 W
Tipo de Encapsulado	TO-247
Tipo de Montaje	Montaje en orificio pasante
Tipo de Canal	N
Conteo de Pines	3
Configuración de transistor	Simple
Dimensiones	15.75 x 5.15 x 20.15mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+175 °C