STMicroelectronics IGBT, STGWA80H65DFBAG, 80 A, 650 V, TO-247, 3 pines

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
261-5072
Nº ref. fabric.:
STGWA80H65DFBAG
Fabricante:
STMicroelectronics
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Tipo de producto

IGBT

Corriente continua máxima de colector Ic

80A

Tensión Colector-Emisor máxima VCEO

650V

Disipación de potencia máxima Pd

535W

Encapsulado

TO-247

Número de pines

3

Tensión máxima del emisor de puerta VGEO

±20 V

Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT

15V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Anchura

21 mm

Altura

5mm

Longitud

15.8mm

Certificaciones y estándares

No

Serie

STGWA

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN
El IGBT de STMicroelectronics se ha desarrollado utilizando una estructura de parada de campo de puerta de trinchera patentada avanzada. El dispositivo forma parte de la nueva serie HB de IGBT, que representa un compromiso óptimo entre la conducción y la pérdida de conmutación para maximizar la eficiencia de cualquier convertidor de frecuencia. Además, el VCE(sat) ligeramente positivo el coeficiente de temperatura y la distribución de parámetros muy estrecha resultan en un funcionamiento paralelo más seguro.

Certificación AEC-Q101

Serie de conmutación de alta velocidad

La temperatura de unión máxima TJ es de 175 grados C

Corriente final minimizada

Distribución de parámetros estrecha

Coeficiente de temperatura VCE(sat) positivo

Diodo antiparalelo suave y muy rápido de recuperación

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