IGBT, IRGP4063DPBF, N-Canal, 96 A, 600 V, TO-247AC, 3-Pines Simple
- Código RS:
- 178-1417
- Nº ref. fabric.:
- IRGP4063DPBF
- Fabricante:
- Infineon
No disponible actualmente
Desconocemos si volveremos a disponer de este artículo. RS tiene previsto retirarlo próximamente de nuestra gama de productos.
- Código RS:
- 178-1417
- Nº ref. fabric.:
- IRGP4063DPBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Corriente Máxima Continua del Colector | 96 A | |
| Tensión Máxima Colector-Emisor | 600 V | |
| Tensión Máxima Puerta-Emisor | ±20V | |
| Tipo de Encapsulado | TO-247AC | |
| Tipo de Montaje | Montaje en orificio pasante | |
| Tipo de Canal | N | |
| Conteo de Pines | 3 | |
| Configuración de transistor | Simple | |
| Dimensiones | 15.9 x 5.3 x 20.3mm | |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +175 °C | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Corriente Máxima Continua del Colector 96 A | ||
Tensión Máxima Colector-Emisor 600 V | ||
Tensión Máxima Puerta-Emisor ±20V | ||
Tipo de Encapsulado TO-247AC | ||
Tipo de Montaje Montaje en orificio pasante | ||
Tipo de Canal N | ||
Conteo de Pines 3 | ||
Configuración de transistor Simple | ||
Dimensiones 15.9 x 5.3 x 20.3mm | ||
Temperatura Máxima de Funcionamiento +175 °C | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55 °C | ||
IGBT de Infineon, corriente de colector continua máxima de 96 A, tensión de emisor de colector máxima de 600 V - IRGP4063DPBF
Este IGBT es un transistor bipolar de puerta aislada diseñado para aplicaciones de electrónica de potencia de alto rendimiento. Con unas dimensiones compactas de 15,9 x 5,3 x 20,3 mm, el componente permite un diseño eficiente de los circuitos electrónicos, a la vez que gestiona cargas de corriente elevadas. Está optimizado para un uso fiable en diversos sistemas eléctricos, garantizando una funcionalidad robusta en condiciones difíciles.
Características y ventajas
• La baja VCE(on) permite una conversión eficiente de la energía
• Funciona con una tensión nominal máxima de 600 V
• Las bajas pérdidas de conmutación mejoran la eficiencia global del sistema
• El diodo de recuperación suave ultrarrápido mejora la fiabilidad del rendimiento
• Diseñado para altas temperaturas de hasta 175°C para una mayor durabilidad
• Funciona con una tensión nominal máxima de 600 V
• Las bajas pérdidas de conmutación mejoran la eficiencia global del sistema
• El diodo de recuperación suave ultrarrápido mejora la fiabilidad del rendimiento
• Diseñado para altas temperaturas de hasta 175°C para una mayor durabilidad
Aplicaciones
• Utilizado para controles de accionamiento de motores e inversores
• Ideal para circuitos de alimentación de equipos industriales
• Adecuado para sistemas de energía renovable como inversores solares
• Eficaz en automatización y robótica para una gestión eficiente de la energía
• Ideal para circuitos de alimentación de equipos industriales
• Adecuado para sistemas de energía renovable como inversores solares
• Eficaz en automatización y robótica para una gestión eficiente de la energía
¿Cómo gestiona este componente las aplicaciones de alta corriente?
El IGBT puede sostener una corriente de colector continua de 96 A, lo que lo hace adecuado para aplicaciones exigentes que requieren una transferencia de potencia significativa manteniendo la eficiencia.
¿Qué significa la tensión nominal de 600 V?
Esta tensión nominal máxima garantiza que el transistor pueda funcionar eficazmente en aplicaciones de alta tensión, proporcionando un margen seguro para los picos de tensión y las fluctuaciones en los sistemas electrónicos de potencia.
¿Cómo afecta su resistencia térmica al rendimiento?
Con una resistencia térmica de 0,45 °C/W, se optimiza la disipación térmica, lo que permite un funcionamiento estable sin sobrecalentamiento, lo que aumenta la fiabilidad en un uso prolongado.
¿Se puede utilizar este IGBT en configuraciones en paralelo?
Sí, su diseño permite un excelente reparto de corriente en funcionamiento paralelo, lo que es crucial para aplicaciones de alta corriente en las que se pueden utilizar varios dispositivos juntos.
Transistores IGBT, International Rectifier
International Rectifier ofrece una amplia gama de soluciones IGBT (transistor bipolar de puerta aislada) desde 300 a 1200 V, basadas en diferentes tecnologías que minimizan las pérdidas por conmutación y conducción para aumentar la eficiencia, reducir problemas térmicos y mejorar la densidad de potencia. La compañía también ofrece una amplia gama de matrices IGBT diseñadas específicamente para módulos de potencia de media a alta. Para los módulos que exigen la máxima fiabilidad, las matrices de frontal de metal soldable (SFM) se pueden emplear para eliminar los cables de unión y permitir una refrigeración de doble cara para mejorar el rendimiento térmico, la fiabilidad y la eficacia.