IGBT, IRGP4063PBF, N-Canal, 96 A, 600 V, TO-247AC, 3-Pines Simple
- Código RS:
- 737-7593
- Nº ref. fabric.:
- IRGP4063PBF
- Fabricante:
- Infineon
No disponible actualmente
Desconocemos si volveremos a disponer de este artículo. RS tiene previsto retirarlo próximamente de nuestra gama de productos.
- Código RS:
- 737-7593
- Nº ref. fabric.:
- IRGP4063PBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Corriente Máxima Continua del Colector | 96 A | |
| Tensión Máxima Colector-Emisor | 600 V | |
| Tensión Máxima Puerta-Emisor | ±30V | |
| Disipación de Potencia Máxima | 330 W | |
| Tipo de Encapsulado | TO-247AC | |
| Tipo de Montaje | Montaje en orificio pasante | |
| Tipo de Canal | N | |
| Conteo de Pines | 3 | |
| Configuración de transistor | Simple | |
| Dimensiones | 15.87 x 5.31 x 20.7mm | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C | |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +175 °C | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Corriente Máxima Continua del Colector 96 A | ||
Tensión Máxima Colector-Emisor 600 V | ||
Tensión Máxima Puerta-Emisor ±30V | ||
Disipación de Potencia Máxima 330 W | ||
Tipo de Encapsulado TO-247AC | ||
Tipo de Montaje Montaje en orificio pasante | ||
Tipo de Canal N | ||
Conteo de Pines 3 | ||
Configuración de transistor Simple | ||
Dimensiones 15.87 x 5.31 x 20.7mm | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55 °C | ||
Temperatura Máxima de Funcionamiento +175 °C | ||
IGBT sencillo de más de 21 A, Infineon
Los IGBT optimizados se han diseñado para aplicaciones de frecuencia media con respuesta rápida y proporcionan al usuario la mayor eficiencia posible. Se pueden usar con los diodos FRED que se han optimizado para proporcionar el mejor rendimiento con los IGBT
Transistores IGBT, International Rectifier
International Rectifier ofrece una amplia gama de soluciones IGBT (transistor bipolar de puerta aislada) desde 300 a 1200 V, basadas en diferentes tecnologías que minimizan las pérdidas por conmutación y conducción para aumentar la eficiencia, reducir problemas térmicos y mejorar la densidad de potencia. La compañía también ofrece una amplia gama de matrices IGBT diseñadas específicamente para módulos de potencia de media a alta. Para los módulos que exigen la máxima fiabilidad, las matrices de frontal de metal soldable (SFM) se pueden emplear para eliminar los cables de unión y permitir una refrigeración de doble cara para mejorar el rendimiento térmico, la fiabilidad y la eficacia.