IGBT, FGHL50T65SQDT, N-Canal, 100 A, 650 V, TO-247, 3-Pines 1 Simple
- Código RS:
- 202-5676
- Nº ref. fabric.:
- FGHL50T65SQDT
- Fabricante:
- onsemi
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Unidad(es) | Por unidad | Por Tubo* |
|---|---|---|
| 450 + | 2,67 € | 1.201,50 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 202-5676
- Nº ref. fabric.:
- FGHL50T65SQDT
- Fabricante:
- onsemi
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Corriente Máxima Continua del Colector | 100 A | |
| Tensión Máxima Colector-Emisor | 650 V | |
| Tensión Máxima Puerta-Emisor | ±30.0V | |
| Número de transistores | 1 | |
| Disipación de Potencia Máxima | 134 W | |
| Tipo de Encapsulado | TO-247 | |
| Tipo de Canal | N | |
| Conteo de Pines | 3 | |
| Configuración de transistor | Simple | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Corriente Máxima Continua del Colector 100 A | ||
Tensión Máxima Colector-Emisor 650 V | ||
Tensión Máxima Puerta-Emisor ±30.0V | ||
Número de transistores 1 | ||
Disipación de Potencia Máxima 134 W | ||
Tipo de Encapsulado TO-247 | ||
Tipo de Canal N | ||
Conteo de Pines 3 | ||
Configuración de transistor Simple | ||
Los IGBT DE on Semiconductor ofrecen el rendimiento óptimo para aplicaciones de inversor solar, SAI, soldador, telecomunicaciones, ESS y PFC donde son esenciales bajas pérdidas de conducción y conmutación.
Temperatura de conexión máxima de 175 °C.
Capacidad de corriente alta
Alta impedancia de entrada
Conmutación rápida
Apretar la distribución de los parámetros
Sin plomo y conforme con RoHS
Capacidad de corriente alta
Alta impedancia de entrada
Conmutación rápida
Apretar la distribución de los parámetros
Sin plomo y conforme con RoHS