STMicroelectronics IGBT, STGWA20HP65FB2, N-Canal, 40 A, 650 V, TO-247, 3 pines 1

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Código RS:
204-3945
Nº ref. fabric.:
STGWA20HP65FB2
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de producto

IGBT

Tipo de canal

N

Corriente continua máxima de colector (Ic)

40 A

Tensión Colector-Emisor máxima (VCEO)

650 V

Encapsulado

TO-247

Número de pines

3

Número de transistores

1

Tensión máxima del emisor de puerta (VGEO)

20 V

COO (País de Origen):
CN
The STMicroelectronics HB2 series 650 V IGBT represents an evolution of the Advanced proprietary trench gate field-stop structure. The performance of the HB2 series is optimized in terms of conduction, thanks to a better VCE(sat) behaviour at low current values, as well as in terms of reduced switching energy. A diode used for protection purposes only is co-packaged in antiparallel with the IGBT. The result is a product specifically designed to maximize efficiency for a wide range of fast applications.

Maximum junction temperature of 175°C

Co-packaged protection diode

Minimized tail current

Tight parameter distribution

Low thermal resistance

Positive temperature coefficient

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