STMicroelectronics IGBT, Tipo N-Canal, 40 A, 650 V, TO-247, 3 pines Orificio pasante, 1 MHz

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Código RS:
206-7210
Nº ref. fabric.:
STGWA20H65DFB2
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de producto

IGBT

Corriente continua máxima de colector Ic

40A

Tensión Colector-Emisor máxima VCEO

650V

Disipación de potencia máxima Pd

147W

Encapsulado

TO-247

Tipo de montaje

Orificio pasante

Tipo de canal

Tipo N

Número de pines

3

Velocidad de conmutación

1MHZ

Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT

2.1V

Tensión máxima del emisor de puerta VGEO

±20 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Serie

Trench Gate Field Stop

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

IGBT Trench Gate de parada de campo, STMicroelectronics, serie HB2 de 650 V, 20 A, alta velocidad en un encapsulado de cables largos TO-247.

Temperatura máxima de conexión: TJ = 175 °C.

VCE(sat) bajo = 1,65 V (típ.) @ IC = 20 A.

Diodo coencapsulado de recuperación muy rápida y suave

Corriente de cola minimizada

Distribución de parámetros ajustada

Resistencia térmica baja

Coeficiente de temperatura positivo de VCE(sat)

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