STMicroelectronics IGBT, Tipo N-Canal, 30 A, 650 V, TO-247, 3 pines Orificio pasante, 1 MHz
- Código RS:
- 202-5514
- Nº ref. fabric.:
- STGWA30HP65FB
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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Unidad(es) | Por unidad | Por Tubo* |
|---|---|---|
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| 60 + | 2,256 € | 67,68 € |
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- Código RS:
- 202-5514
- Nº ref. fabric.:
- STGWA30HP65FB
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Corriente continua máxima de colector Ic | 30A | |
| Tipo de producto | IGBT | |
| Tensión Colector-Emisor máxima VCEO | 650V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 260W | |
| Encapsulado | TO-247 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Número de pines | 3 | |
| Velocidad de conmutación | 1MHz | |
| Tensión máxima del emisor de puerta VGEO | 20 V | |
| Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT | 2V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Altura | 5.1mm | |
| Serie | STG | |
| Anchura | 21.1 mm | |
| Longitud | 15.9mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Corriente continua máxima de colector Ic 30A | ||
Tipo de producto IGBT | ||
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO 650V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 260W | ||
Encapsulado TO-247 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Número de pines 3 | ||
Velocidad de conmutación 1MHz | ||
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO 20 V | ||
Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT 2V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Altura 5.1mm | ||
Serie STG | ||
Anchura 21.1 mm | ||
Longitud 15.9mm | ||
Estándar de automoción No | ||
El IGBT de la serie HB de alta velocidad de STMicroelectronics se ha desarrollado usando una estructura de parada de campo de puerta Trench patentada Advanced. El dispositivo forma parte de la nueva serie HB de IGBT, que representa un compromiso óptimo entre conducción y pérdida de conmutación para maximizar la eficiencia de cualquier convertidor de frecuencia.
Resistencia térmica baja
Diodo antiparalelo de recuperación suave muy rápida
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