IGBT, STGWA100H65DFB2, 145 A, 650 V, TO-247, 3-Pines 1 Simple

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Código RS:
206-7206
Nº ref. fabric.:
STGWA100H65DFB2
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Corriente Máxima Continua del Colector

145 A

Tensión Máxima Colector-Emisor

650 V

Tensión Máxima Puerta-Emisor

±20V

Disipación de Potencia Máxima

441 W

Número de transistores

1

Tipo de Encapsulado

TO-247

Conteo de Pines

3

Configuración de transistor

Simple

IGBT Trench Gate de parada de campo, STMicroelectronics, serie HB2 de 650 V, 100 A, alta velocidad en un encapsulado de cables largos TO-247.

Temperatura máxima de conexión: TJ = 175 °C.
VCE(sat) bajo = 1,55 V (típ.) @ IC = 100 A.
Diodo coencapsulado de recuperación muy rápida y suave
Corriente de cola minimizada
Distribución de parámetros ajustada
Resistencia térmica baja
Coeficiente de temperatura positivo de VCE(sat)

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