Nº ref. fabric.

STMicroelectronics IGBT, Tipo N-Canal, 115 A, 650 V, TO-247, 3 pines Orificio pasante, 1 MHz

Código RS:: 206-7211
Nº ref. fabric.:: STGWA75H65DFB2
Fabricante:: STMicroelectronics

STMicroelectronics IGBT, Tipo N-Canal, 115 A, 650 V, TO-247, 3 pines Orificio pasante, 1 MHz

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Unidad(es)	Por unidad	Por Tubo*
30 - 90	3,541 €	106,23 €
120 - 240	3,445 €	103,35 €
270 - 480	3,353 €	100,59 €
510 - 990	3,268 €	98,04 €
1020 +	3,187 €	95,61 €

*precio indicativo

Código RS:: 206-7211
Nº ref. fabric.:: STGWA75H65DFB2
Fabricante:: STMicroelectronics

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.

Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	STMicroelectronics
	Tipo de producto	IGBT
	Corriente continua máxima de colector Ic	115A
	Tensión Colector-Emisor máxima VCEO	650V
	Disipación de potencia máxima Pd	357W
	Encapsulado	TO-247
	Tipo de montaje	Orificio pasante
	Tipo de canal	Tipo N
	Número de pines	3
	Velocidad de conmutación	1MHZ
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Tensión máxima del emisor de puerta VGEO	20 V
	Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT	2V
	Temperatura de funcionamiento máxima	175°C
	Altura	5.1mm
	Longitud	15.9mm
	Serie	STG
	Certificaciones y estándares	RoHS
	Estándar de automoción	No

	Seleccionar todo
	Marca STMicroelectronics
	Tipo de producto IGBT
	Corriente continua máxima de colector Ic 115A
	Tensión Colector-Emisor máxima VCEO 650V
	Disipación de potencia máxima Pd 357W
	Encapsulado TO-247
	Tipo de montaje Orificio pasante
	Tipo de canal Tipo N
	Número de pines 3
	Velocidad de conmutación 1MHZ
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Tensión máxima del emisor de puerta VGEO 20 V
	Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT 2V
	Temperatura de funcionamiento máxima 175°C
	Altura 5.1mm
	Longitud 15.9mm
	Serie STG
	Certificaciones y estándares RoHS
	Estándar de automoción No

Datasheet - STGWA75H65DFB2

IGBT Trench Gate de parada de campo, STMicroelectronics, serie HB2 de 650 V, 75 A, alta velocidad en un encapsulado de cables largos TO-247.

Temperatura máxima de conexión: TJ = 175 °C.

VCE(sat) bajo = 1,55 V (típ.) @ IC = 75 A.

Diodo coencapsulado de recuperación muy rápida y suave

Corriente de cola minimizada

Distribución de parámetros ajustada

Resistencia térmica baja

Coeficiente de temperatura positivo de VCE(sat)

STMicroelectronics IGBT, Tipo N-Canal, 115 A, 650 V, TO-247, 3 pines Orificio pasante, 1 MHz

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