IGBT, STGWA75H65DFB2, 115 A, 650 V, TO-247, 3-Pines 1 Simple
- Código RS:
- 206-7212
- Nº ref. fabric.:
- STGWA75H65DFB2
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
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- Código RS:
- 206-7212
- Nº ref. fabric.:
- STGWA75H65DFB2
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Corriente Máxima Continua del Colector | 115 A | |
| Tensión Máxima Colector-Emisor | 650 V | |
| Tensión Máxima Puerta-Emisor | ±20V | |
| Disipación de Potencia Máxima | 357 W | |
| Número de transistores | 1 | |
| Tipo de Encapsulado | TO-247 | |
| Conteo de Pines | 3 | |
| Configuración de transistor | Simple | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Corriente Máxima Continua del Colector 115 A | ||
Tensión Máxima Colector-Emisor 650 V | ||
Tensión Máxima Puerta-Emisor ±20V | ||
Disipación de Potencia Máxima 357 W | ||
Número de transistores 1 | ||
Tipo de Encapsulado TO-247 | ||
Conteo de Pines 3 | ||
Configuración de transistor Simple | ||
IGBT Trench Gate de parada de campo, STMicroelectronics, serie HB2 de 650 V, 75 A, alta velocidad en un encapsulado de cables largos TO-247.
Temperatura máxima de conexión: TJ = 175 °C.
VCE(sat) bajo = 1,55 V (típ.) @ IC = 75 A.
Diodo coencapsulado de recuperación muy rápida y suave
Corriente de cola minimizada
Distribución de parámetros ajustada
Resistencia térmica baja
Coeficiente de temperatura positivo de VCE(sat)
VCE(sat) bajo = 1,55 V (típ.) @ IC = 75 A.
Diodo coencapsulado de recuperación muy rápida y suave
Corriente de cola minimizada
Distribución de parámetros ajustada
Resistencia térmica baja
Coeficiente de temperatura positivo de VCE(sat)