STMicroelectronics IGBT, STGW75H65DFB2-4, Tipo N-Canal, 115 A, 650 V, TO-247, 4 pines Orificio pasante, 1 MHz

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Código RS:
206-8629
Nº ref. fabric.:
STGW75H65DFB2-4
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Corriente continua máxima de colector Ic

115A

Tipo de producto

IGBT

Tensión Colector-Emisor máxima VCEO

650V

Disipación de potencia máxima Pd

357W

Encapsulado

TO-247

Tipo de montaje

Orificio pasante

Tipo de canal

Tipo N

Número de pines

4

Velocidad de conmutación

1MHZ

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima del emisor de puerta VGEO

20 V

Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT

2V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Serie

STG

Certificaciones y estándares

RoHS

Longitud

15.9mm

Altura

5.1mm

Estándar de automoción

No

STMicroelectronics IGBT serie 650 V HB2 representa una evolución de la Advanced estructura de parada de campo de puerta Trench propia. El rendimiento de la serie HB2 está optimizado en términos de conducción, gracias a un mejor comportamiento VCE(sat) con valores de corriente bajos, así como en términos de energía de conmutación reducida.

Temperatura máxima de conexión: TJ = 175 °C.

VCE(sat) bajo = 1,55 V (típ.) @ IC = 75 A.

Diodo coencapsulado de recuperación muy rápida y suave

Corriente de cola minimizada

Distribución de parámetros ajustada

Resistencia térmica baja

Coeficiente de temperatura positivo de VCE(sat)

Excelente rendimiento de conmutación gracias al contacto kelvin de accionamiento adicional

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