STMicroelectronics IGBT, Tipo N-Canal, 60 A, 650 V, TO-247, 4 pines Orificio pasante, 1 MHz

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Código RS:
206-6065
Nº ref. fabric.:
STGWA30IH65DF
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Corriente continua máxima de colector Ic

60A

Tipo de producto

IGBT

Tensión Colector-Emisor máxima VCEO

650V

Disipación de potencia máxima Pd

108W

Encapsulado

TO-247

Tipo de montaje

Orificio pasante

Tipo de canal

Tipo N

Número de pines

4

Velocidad de conmutación

1MHZ

Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT

2.05V

Tensión máxima del emisor de puerta VGEO

20 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Altura

5.1mm

Longitud

15.9mm

Serie

STG

Estándar de automoción

No

STMicroelectronics IGBT serie 650 V HB2 representa una evolución de la Advanced estructura de parada de campo de puerta Trench propia. El rendimiento de la serie HB2 está optimizado en términos de conducción, gracias a un mejor comportamiento VCE(sat) con valores de corriente bajos, así como en términos de energía de conmutación reducida.

Diseñado solo para conmutación suave

Temperatura máxima de conexión: TJ = 175 °C.

VCE(sat) = 1,55 V (típ.) @ IC = 30 A.

Corriente de cola minimizada

Distribución de parámetros ajustada

Resistencia térmica baja

Diodo encapsulado de circulación libre de baja caída de tensión

Coeficiente de temperatura positivo de VCE(sat)

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