STMicroelectronics IGBT, STGW100H65FB2-4, Tipo N-Canal, 145 A, 650 V, TO-247-4, 4 pines Orificio pasante, 1 MHz

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Código RS:
212-2107
Nº ref. fabric.:
STGW100H65FB2-4
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de producto

IGBT

Corriente continua máxima de colector Ic

145A

Tensión Colector-Emisor máxima VCEO

650V

Disipación de potencia máxima Pd

441W

Encapsulado

TO-247-4

Tipo de montaje

Orificio pasante

Tipo de canal

Tipo N

Número de pines

4

Velocidad de conmutación

1MHz

Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT

2V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima del emisor de puerta VGEO

20 V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Serie

STG

Altura

5.1mm

Longitud

15.9mm

Anchura

21.1 mm

Estándar de automoción

No

IGBT


STMicroelectronics IGBT serie 650 V HB2 representa una evolución de la Advanced estructura de parada de campo de puerta Trench propia. El rendimiento de la serie HB2 está optimizado en términos de conducción, gracias a un mejor comportamiento VCE(sat) con valores de corriente bajos, así como en términos de energía de conmutación reducida. El resultado es un producto diseñado específicamente para maximizar la eficiencia para una amplia gama de aplicaciones rápidas.

Corriente de cola minimizada

Distribución de parámetros ajustada

Resistencia térmica baja

Coeficiente de temperatura positivo de VCE(sat)

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