IGBT, STGWA20H65DFB2, 40 A, 650 V, TO-247, 3-Pines 1 Simple
- Código RS:
- 206-7209
- Nº ref. fabric.:
- STGWA20H65DFB2
- Fabricante:
- STMicroelectronics
No disponible actualmente
Lo sentimos, no sabemos cuándo volverá a estar disponible
- Código RS:
- 206-7209
- Nº ref. fabric.:
- STGWA20H65DFB2
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Corriente Máxima Continua del Colector | 40 A | |
| Tensión Máxima Colector-Emisor | 650 V | |
| Tensión Máxima Puerta-Emisor | ±20V | |
| Número de transistores | 1 | |
| Disipación de Potencia Máxima | 147 W | |
| Tipo de Encapsulado | TO-247 | |
| Conteo de Pines | 3 | |
| Configuración de transistor | Simple | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Corriente Máxima Continua del Colector 40 A | ||
Tensión Máxima Colector-Emisor 650 V | ||
Tensión Máxima Puerta-Emisor ±20V | ||
Número de transistores 1 | ||
Disipación de Potencia Máxima 147 W | ||
Tipo de Encapsulado TO-247 | ||
Conteo de Pines 3 | ||
Configuración de transistor Simple | ||
IGBT Trench Gate de parada de campo, STMicroelectronics, serie HB2 de 650 V, 20 A, alta velocidad en un encapsulado de cables largos TO-247.
Temperatura máxima de conexión: TJ = 175 °C.
VCE(sat) bajo = 1,65 V (típ.) @ IC = 20 A.
Diodo coencapsulado de recuperación muy rápida y suave
Corriente de cola minimizada
Distribución de parámetros ajustada
Resistencia térmica baja
Coeficiente de temperatura positivo de VCE(sat)
VCE(sat) bajo = 1,65 V (típ.) @ IC = 20 A.
Diodo coencapsulado de recuperación muy rápida y suave
Corriente de cola minimizada
Distribución de parámetros ajustada
Resistencia térmica baja
Coeficiente de temperatura positivo de VCE(sat)