STMicroelectronics IGBT, STGWA20H65DFB2, Tipo N-Canal, 40 A, 650 V, TO-247, 3 pines Orificio pasante, 1 MHz

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Código RS:
206-7209
Nº ref. fabric.:
STGWA20H65DFB2
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de producto

IGBT

Corriente continua máxima de colector Ic

40A

Tensión Colector-Emisor máxima VCEO

650V

Disipación de potencia máxima Pd

147W

Encapsulado

TO-247

Tipo de montaje

Orificio pasante

Tipo de canal

Tipo N

Número de pines

3

Velocidad de conmutación

1MHz

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima del emisor de puerta VGEO

±20 V

Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT

2.1V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

No

Serie

Trench Gate Field Stop

Estándar de automoción

No

IGBT Trench Gate de parada de campo, STMicroelectronics, serie HB2 de 650 V, 20 A, alta velocidad en un encapsulado de cables largos TO-247.

Temperatura máxima de conexión: TJ = 175 °C.

VCE(sat) bajo = 1,65 V (típ.) @ IC = 20 A.

Diodo coencapsulado de recuperación muy rápida y suave

Corriente de cola minimizada

Distribución de parámetros ajustada

Resistencia térmica baja

Coeficiente de temperatura positivo de VCE(sat)

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