IGBT, STGWA40IH65DF, N-Canal, 40 A, 650 V, TO-247, 3-Pines 1 Emisor común
- Código RS:
- 202-5518
- Nº ref. fabric.:
- STGWA40IH65DF
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Descuento aplicable por cantidad
Subtotal (1 tubo de 30 unidades)*
89,46 €
(exc. IVA)
108,24 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €
Agotado temporalmente
- Envío desde el 11 de mayo de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Tubo* |
|---|---|---|
| 30 - 90 | 2,982 € | 89,46 € |
| 120 - 240 | 2,88 € | 86,40 € |
| 270 - 480 | 2,803 € | 84,09 € |
| 510 - 990 | 2,731 € | 81,93 € |
| 1020 + | 2,662 € | 79,86 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 202-5518
- Nº ref. fabric.:
- STGWA40IH65DF
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Corriente Máxima Continua del Colector | 40 A | |
| Tensión Máxima Colector-Emisor | 650 V | |
| Tensión Máxima Puerta-Emisor | ±20V | |
| Número de transistores | 1 | |
| Disipación de Potencia Máxima | 238 W | |
| Tipo de Encapsulado | TO-247 | |
| Tipo de Canal | N | |
| Conteo de Pines | 3 | |
| Configuración de transistor | Emisor común | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Corriente Máxima Continua del Colector 40 A | ||
Tensión Máxima Colector-Emisor 650 V | ||
Tensión Máxima Puerta-Emisor ±20V | ||
Número de transistores 1 | ||
Disipación de Potencia Máxima 238 W | ||
Tipo de Encapsulado TO-247 | ||
Tipo de Canal N | ||
Conteo de Pines 3 | ||
Configuración de transistor Emisor común | ||
El IGBT STMicroelectronics de conmutación suave de la serie IH se ha desarrollado usando una Advanced estructura de parada de campo de puerta Trench patentada, cuyo rendimiento se optimiza tanto en pérdidas de conducción como de conmutación para conmutación suave.
Diodo encapsulado de circulación libre de baja caída de tensión
Coeficiente de temperatura positivo de VCE(sat)
Coeficiente de temperatura positivo de VCE(sat)
Enlaces relacionados
- IGBT N-Canal 650 V 3-Pines 1 Emisor común
- IGBT N-Canal 650 V 3-Pines 1 Emisor común
- IGBT N-Canal 650 V 3-Pines 1 Emisor común
- IGBT N-Canal 650 V 3-Pines 1 Emisor común
- IGBT N-Canal 650 V 3-Pines 1 Emisor común
- IGBT N-Canal 650 V 3-Pines 1 Emisor común
- IGBT N-Canal 650 V 3-Pines 1 Emisor común
- IGBT N-Canal 650 V 3-Pines 1 Emisor común
