IGBT, STGWA40IH65DF, N-Canal, 40 A, 650 V, TO-247, 3-Pines 1 Emisor común
- Código RS:
- 202-5519
- Nº ref. fabric.:
- STGWA40IH65DF
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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- Código RS:
- 202-5519
- Nº ref. fabric.:
- STGWA40IH65DF
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Corriente Máxima Continua del Colector | 40 A | |
| Tensión Máxima Colector-Emisor | 650 V | |
| Tensión Máxima Puerta-Emisor | ±20V | |
| Disipación de Potencia Máxima | 238 W | |
| Número de transistores | 1 | |
| Tipo de Encapsulado | TO-247 | |
| Tipo de Canal | N | |
| Conteo de Pines | 3 | |
| Configuración de transistor | Emisor común | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Corriente Máxima Continua del Colector 40 A | ||
Tensión Máxima Colector-Emisor 650 V | ||
Tensión Máxima Puerta-Emisor ±20V | ||
Disipación de Potencia Máxima 238 W | ||
Número de transistores 1 | ||
Tipo de Encapsulado TO-247 | ||
Tipo de Canal N | ||
Conteo de Pines 3 | ||
Configuración de transistor Emisor común | ||
El IGBT STMicroelectronics de conmutación suave de la serie IH se ha desarrollado usando una Advanced estructura de parada de campo de puerta Trench patentada, cuyo rendimiento se optimiza tanto en pérdidas de conducción como de conmutación para conmutación suave.
Diodo encapsulado de circulación libre de baja caída de tensión
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