STMicroelectronics IGBT, STGWA40IH65DF, Tipo N-Canal, 40 A, 650 V, TO-247, 3 pines Orificio pasante, 1 MHz
- Código RS:
- 202-5519
- Nº ref. fabric.:
- STGWA40IH65DF
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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- Código RS:
- 202-5519
- Nº ref. fabric.:
- STGWA40IH65DF
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de producto | IGBT | |
| Corriente continua máxima de colector Ic | 40A | |
| Tensión Colector-Emisor máxima VCEO | 650V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 238W | |
| Encapsulado | TO-247 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Número de pines | 3 | |
| Velocidad de conmutación | 1MHz | |
| Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT | 2V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima del emisor de puerta VGEO | 20 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Altura | 5.1mm | |
| Anchura | 21.1 mm | |
| Longitud | 15.9mm | |
| Serie | STG | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de producto IGBT | ||
Corriente continua máxima de colector Ic 40A | ||
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO 650V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 238W | ||
Encapsulado TO-247 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Número de pines 3 | ||
Velocidad de conmutación 1MHz | ||
Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT 2V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO 20 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Altura 5.1mm | ||
Anchura 21.1 mm | ||
Longitud 15.9mm | ||
Serie STG | ||
Estándar de automoción No | ||
El IGBT STMicroelectronics de conmutación suave de la serie IH se ha desarrollado usando una Advanced estructura de parada de campo de puerta Trench patentada, cuyo rendimiento se optimiza tanto en pérdidas de conducción como de conmutación para conmutación suave.
Diodo encapsulado de circulación libre de baja caída de tensión
Coeficiente de temperatura positivo de VCE(sat)
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