IGBT, STGF20H65DFB2, 40 A, 650 V, TO-220FP, 3-Pines 1
- Código RS:
- 204-9871
- Nº ref. fabric.:
- STGF20H65DFB2
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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Unidad(es) | Por unidad | Por Tubo* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 1,324 € | 66,20 € |
| 100 - 200 | 1,288 € | 64,40 € |
| 250 - 450 | 1,253 € | 62,65 € |
| 500 - 950 | 1,222 € | 61,10 € |
| 1000 + | 1,191 € | 59,55 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 204-9871
- Nº ref. fabric.:
- STGF20H65DFB2
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Corriente Máxima Continua del Colector | 40 A | |
| Tensión Máxima Colector-Emisor | 650 V | |
| Tensión Máxima Puerta-Emisor | ±20V | |
| Disipación de Potencia Máxima | 45 W | |
| Número de transistores | 1 | |
| Tipo de Encapsulado | TO-220FP | |
| Conteo de Pines | 3 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Corriente Máxima Continua del Colector 40 A | ||
Tensión Máxima Colector-Emisor 650 V | ||
Tensión Máxima Puerta-Emisor ±20V | ||
Disipación de Potencia Máxima 45 W | ||
Número de transistores 1 | ||
Tipo de Encapsulado TO-220FP | ||
Conteo de Pines 3 | ||
- COO (País de Origen):
- CN
STMicroelectronics IGBT serie 650 V HB2 representa una evolución de la Advanced estructura de parada de campo de puerta Trench propia. El rendimiento de la serie HB2 está optimizado en términos de conducción, gracias a un mejor comportamiento VCE(sat) con valores de corriente bajos, así como en términos de energía de conmutación reducida.
Temperatura máxima de conexión: TJ = 175 °C.
VCE(sat) bajo = 1,65 V (típ.) @ IC = 20 A.
Diodo coencapsulado de recuperación muy rápida y suave
Corriente de cola minimizada
Distribución de parámetros ajustada
Resistencia térmica baja
VCE(sat) bajo = 1,65 V (típ.) @ IC = 20 A.
Diodo coencapsulado de recuperación muy rápida y suave
Corriente de cola minimizada
Distribución de parámetros ajustada
Resistencia térmica baja