STMicroelectronics IGBT, N-Canal, 40 A, 650 V, TO-220FP, 3 pines Orificio pasante, 1 MHZ

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Código RS:
204-9871
Nº ref. fabric.:
STGF20H65DFB2
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Corriente continua máxima de colector Ic

40A

Tipo de producto

IGBT

Tensión Colector-Emisor máxima VCEO

650V

Disipación de potencia máxima Pd

45W

Encapsulado

TO-220FP

Tipo de montaje

Orificio pasante

Tipo de canal

N

Número de pines

3

Velocidad de conmutación

1MHZ

Tensión máxima del emisor de puerta VGEO

20 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT

2.1V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Serie

STG

Longitud

10.4mm

Altura

4.6mm

Certificaciones y estándares

RoHS

Anchura

16.4mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN
STMicroelectronics IGBT serie 650 V HB2 representa una evolución de la Advanced estructura de parada de campo de puerta Trench propia. El rendimiento de la serie HB2 está optimizado en términos de conducción, gracias a un mejor comportamiento VCE(sat) con valores de corriente bajos, así como en términos de energía de conmutación reducida.

Temperatura máxima de conexión: TJ = 175 °C.

VCE(sat) bajo = 1,65 V (típ.) @ IC = 20 A.

Diodo coencapsulado de recuperación muy rápida y suave

Corriente de cola minimizada

Distribución de parámetros ajustada

Resistencia térmica baja

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