STMicroelectronics IGBT, Tipo N-Canal, 50 A, 650 V, TO-263, 3 pines Superficie, 1 MHz
- Código RS:
- 204-9867
- Nº ref. fabric.:
- STGB30H65DFB2
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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- Código RS:
- 204-9867
- Nº ref. fabric.:
- STGB30H65DFB2
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Corriente continua máxima de colector Ic | 50A | |
| Tipo de producto | IGBT | |
| Tensión Colector-Emisor máxima VCEO | 650V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 167W | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Número de pines | 3 | |
| Velocidad de conmutación | 1MHZ | |
| Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT | 2.1V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima del emisor de puerta VGEO | 20 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Altura | 4.6mm | |
| Longitud | 10.4mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Serie | Trench Gate Field Stop | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Corriente continua máxima de colector Ic 50A | ||
Tipo de producto IGBT | ||
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO 650V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 167W | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Número de pines 3 | ||
Velocidad de conmutación 1MHZ | ||
Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT 2.1V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO 20 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Altura 4.6mm | ||
Longitud 10.4mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Serie Trench Gate Field Stop | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- CN
STMicroelectronics IGBT serie 650 V HB2 representa una evolución de la Advanced estructura de parada de campo de puerta Trench propia. El rendimiento de la serie HB2 está optimizado en términos de conducción, gracias a un mejor comportamiento VCE(sat) con valores de corriente bajos, así como en términos de energía de conmutación reducida.
Temperatura máxima de conexión: TJ = 175 °C.
VCE(sat) bajo = 1,65 V (típ.) @ IC = 30 A.
Diodo coencapsulado de recuperación muy rápida y suave
Corriente de cola minimizada
Distribución de parámetros ajustada
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