- Código RS:
- 795-8975
- Nº ref. fabric.:
- STGB10NC60KDT4
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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Añadido
Precio unitario (Suministrado en múltiplos de 5)
1,048 €
(exc. IVA)
1,268 €
(inc.IVA)
Unidades | Por unidad | Por Pack* |
5 - 20 | 1,048 € | 5,24 € |
25 - 45 | 0,998 € | 4,99 € |
50 - 120 | 0,896 € | 4,48 € |
125 - 245 | 0,808 € | 4,04 € |
250 + | 0,766 € | 3,83 € |
*precio indicativo |
- Código RS:
- 795-8975
- Nº ref. fabric.:
- STGB10NC60KDT4
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Discretos IGBT, STMicroelectronics
IGBT discretos y módulos, STMicroelectronics
El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.
Especificaciones
Atributo | Valor |
---|---|
Corriente Máxima Continua del Colector | 20 A |
Tensión Máxima Colector-Emisor | 600 V |
Tensión Máxima Puerta-Emisor | ±20V |
Disipación de Potencia Máxima | 65 W |
Tipo de Encapsulado | D2PAK (TO-263) |
Tipo de Montaje | Montaje superficial |
Tipo de Canal | N |
Conteo de Pines | 3 |
Velocidad de Conmutación | 1MHZ |
Configuración de transistor | Simple |
Dimensiones | 10.4 x 9.35 x 4.6mm |
Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C |
Temperatura Máxima de Funcionamiento | +150 °C |