Infineon IGBT, Tipo N-Canal, 20 A, 600 V, TO-263, 3 pines Superficie, 1 MHz

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Código RS:
165-5613
Nº ref. fabric.:
IGB10N60TATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

IGBT

Corriente continua máxima de colector Ic

20A

Tensión Colector-Emisor máxima VCEO

600V

Disipación de potencia máxima Pd

110W

Encapsulado

TO-263

Tipo de montaje

Superficie

Tipo de canal

Tipo N

Número de pines

3

Velocidad de conmutación

1MHz

Tensión máxima del emisor de puerta VGEO

20 V

Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT

2.05V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

JEDEC

Serie

TrenchStop

Estándar de automoción

No

Estado RoHS: No aplica

COO (País de Origen):
CN

Transistores IGBT Infineon TrenchStop, 600 y 650 V


Una gama de transistores IGBT de Infineon con valores nominales de tensión de colector-emisor de 600 y 650 V con tecnología TrenchStop™. La gama incluye dispositivos con un diodo anti-paralelo de recuperación rápida y alta velocidad integrado.

• Rango de tensión de colector-emisor de 600 a 650 V

• VCEsat muy baja

• Pérdidas de desconexión bajas

• Corriente de recuperación de cortocircuito

• EMI bajo

• Temperatura de conexión máxima de 175 °C

IGBT discretos y módulos, Infineon


El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.

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