Infineon IGBT, IGB10N60TATMA1, Tipo N-Canal, 20 A, 600 V, TO-263, 3 pines Superficie, 1 MHz

Código RS:: 826-9055
Nº ref. fabric.:: IGB10N60TATMA1
Fabricante:: Infineon

Infineon IGBT, IGB10N60TATMA1, Tipo N-Canal, 20 A, 600 V, TO-263, 3 pines Superficie, 1 MHz

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200 - 480	0,64 €	12,80 €
500 - 980	0,564 €	11,28 €
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Código RS:: 826-9055
Nº ref. fabric.:: IGB10N60TATMA1
Fabricante:: Infineon

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

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Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	Infineon
	Corriente continua máxima de colector Ic	20A
	Tipo de producto	IGBT
	Tensión Colector-Emisor máxima VCEO	600V
	Disipación de potencia máxima Pd	110W
	Encapsulado	TO-263
	Tipo de montaje	Superficie
	Tipo de canal	Tipo N
	Número de pines	3
	Velocidad de conmutación	1MHz
	Tensión máxima del emisor de puerta VGEO	20 V
	Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT	2.05V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-40°C
	Temperatura de funcionamiento máxima	175°C
	Certificaciones y estándares	JEDEC
	Serie	TrenchStop
	Estándar de automoción	No

	Seleccionar todo
	Marca Infineon
	Corriente continua máxima de colector Ic 20A
	Tipo de producto IGBT
	Tensión Colector-Emisor máxima VCEO 600V
	Disipación de potencia máxima Pd 110W
	Encapsulado TO-263
	Tipo de montaje Superficie
	Tipo de canal Tipo N
	Número de pines 3
	Velocidad de conmutación 1MHz
	Tensión máxima del emisor de puerta VGEO 20 V
	Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT 2.05V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C
	Temperatura de funcionamiento máxima 175°C
	Certificaciones y estándares JEDEC
	Serie TrenchStop
	Estándar de automoción No

Estado RoHS: No aplica

Transistores IGBT Infineon TrenchStop, 600 y 650 V

Una gama de transistores IGBT de Infineon con valores nominales de tensión de colector-emisor de 600 y 650 V con tecnología TrenchStop™. La gama incluye dispositivos con un diodo anti-paralelo de recuperación rápida y alta velocidad integrado.

• Rango de tensión de colector-emisor de 600 a 650 V

• VCEsat muy baja

• Pérdidas de desconexión bajas

• Corriente de recuperación de cortocircuito

• EMI bajo

• Temperatura de conexión máxima de 175 °C

IGBT discretos y módulos, Infineon

El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.

Infineon IGBT, IGB10N60TATMA1, Tipo N-Canal, 20 A, 600 V, TO-263, 3 pines Superficie, 1 MHz

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Transistores IGBT Infineon TrenchStop, 600 y 650 V

IGBT discretos y módulos, Infineon

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