Infineon IGBT, IGB10N60TATMA1, Tipo N-Canal, 20 A, 600 V, TO-263, 3 pines Superficie, 1 MHz
- Código RS:
- 826-9055
- Nº ref. fabric.:
- IGB10N60TATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Descuento aplicable por cantidad
Ver precios por cantidadSubtotal (1 paquete de 20 unidades)*
18,22 €
(exc. IVA)
22,04 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
Agotado temporalmente
- 560 Envío desde el 11 de junio de 2026
- Disponible(s) 1000 unidad(es) más para enviar a partir del 03 de septiembre de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 20 - 180 | 0,911 € | 18,22 € |
| 200 - 480 | 0,658 € | 13,16 € |
| 500 - 980 | 0,579 € | 11,58 € |
| 1000 - 1980 | 0,545 € | 10,90 € |
| 2000 + | 0,531 € | 10,62 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 826-9055
- Nº ref. fabric.:
- IGB10N60TATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Corriente continua máxima de colector Ic | 20A | |
| Tipo de producto | IGBT | |
| Tensión Colector-Emisor máxima VCEO | 600V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 110W | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Número de pines | 3 | |
| Velocidad de conmutación | 1MHZ | |
| Tensión máxima del emisor de puerta VGEO | 20 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT | 2.05V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | JEDEC | |
| Serie | TrenchStop | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Corriente continua máxima de colector Ic 20A | ||
Tipo de producto IGBT | ||
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO 600V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 110W | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Número de pines 3 | ||
Velocidad de conmutación 1MHZ | ||
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO 20 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT 2.05V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares JEDEC | ||
Serie TrenchStop | ||
Estándar de automoción No | ||
Estado RoHS: No aplica
Transistores IGBT Infineon TrenchStop, 600 y 650 V
Una gama de transistores IGBT de Infineon con valores nominales de tensión de colector-emisor de 600 y 650 V con tecnología TrenchStop™. La gama incluye dispositivos con un diodo anti-paralelo de recuperación rápida y alta velocidad integrado.
• Rango de tensión de colector-emisor de 600 a 650 V
• VCEsat muy baja
• Pérdidas de desconexión bajas
• Corriente de recuperación de cortocircuito
• EMI bajo
• Temperatura de conexión máxima de 175 °C
IGBT discretos y módulos, Infineon
El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.
Enlaces relacionados
- Infineon IGBT 20 A TO-263 1 MHz
- Infineon IGBT 34 A TO-263
- Infineon IGBT Tipo N-Canal 600 V, TO-263
- Infineon IGBT 12 A TO-263, 3 pines Orificio pasante
- Infineon IGBT Tipo N-Canal 600 V 3 pines Orificio pasante
- Infineon IGBT 600 V, TO-263
- Infineon IGBT 24 A TO-263
- Infineon CI de transistor único IGBT 26 A TO-263, 3 pines Superficie