STMicroelectronics IGBT, Tipo N-Canal, 20 A, 600 V, TO-263, 3 pines Superficie, 1 MHz

Ver todo IGBT

Subtotal (1 bobina de 1000 unidades)*

800,00 €

(exc. IVA)

970,00 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Los pedidos inferiores a 80,00 € (exc. IVA) tienen un coste de 7,00 €.
Disponible
  • Disponible(s) 2000 unidad(es) más para enviar a partir del 19 de febrero de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es)
Por unidad
Por Bobina*
1000 +0,80 €800,00 €

*precio indicativo

Código RS:
168-7720
Nº ref. fabric.:
STGB10NC60KDT4
Fabricante:
STMicroelectronics
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

STMicroelectronics

Tipo de producto

IGBT

Corriente continua máxima de colector Ic

20A

Tensión Colector-Emisor máxima VCEO

600V

Disipación de potencia máxima Pd

65W

Encapsulado

TO-263

Tipo de montaje

Superficie

Tipo de canal

Tipo N

Número de pines

3

Velocidad de conmutación

1MHz

Tensión máxima del emisor de puerta VGEO

±20 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT

2.5V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

4.6mm

Serie

STGx10NC60KD

Certificaciones y estándares

RoHS

Anchura

9.35 mm

Longitud

10.4mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN

Discretos IGBT, STMicroelectronics


IGBT discretos y módulos, STMicroelectronics


El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.

Enlaces relacionados

Recently viewed