IGBT, IGB50N60TATMA1, 90 A, 600 V, PG-TO263-3, 3-Pines
- Código RS:
- 215-6629
- Nº ref. fabric.:
- IGB50N60TATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 215-6629
- Nº ref. fabric.:
- IGB50N60TATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Corriente Máxima Continua del Colector | 90 A | |
| Tensión Máxima Colector-Emisor | 600 V | |
| Tensión Máxima Puerta-Emisor | ±20V | |
| Disipación de Potencia Máxima | 333 W | |
| Tipo de Encapsulado | PG-TO263-3 | |
| Conteo de Pines | 3 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Corriente Máxima Continua del Colector 90 A | ||
Tensión Máxima Colector-Emisor 600 V | ||
Tensión Máxima Puerta-Emisor ±20V | ||
Disipación de Potencia Máxima 333 W | ||
Tipo de Encapsulado PG-TO263-3 | ||
Conteo de Pines 3 | ||
El transistor bipolar Infineon de puerta aislada de pérdida baja con tecnología de parada de zanjas y parada de campo.
Eficiencia alta
Pérdidas de conmutación bajas
Mayor fiabilidad
Baja interferencia electromagnética
Pérdidas de conmutación bajas
Mayor fiabilidad
Baja interferencia electromagnética